Transistor por Efeito de Campo e Fotocondutor de Poli(O-Metoxianilina)
Onmori, Roberto K.; Mattoso, Luiz H. C.; Faria, Roberto M.
http://dx.doi.org/10.1590/S0104-14281998000100006
Polímeros: Ciência e Tecnologia, vol.8, n1, p.38-45, 1998
Resumo
Esse artigo apresenta resultados sobre fabricação e caracterização de um transistor por efeito de campo (FET) tendo a poli(o-metoxianilina) - POMA - como material ativo. Uma adaptação de processos de microeletrônica tradicional foi feita para a confecção desse dispositivo. O FET desenvolvido apresentou modulação por voltagem de porta V g, mas operou mesmo em Vg=Ü. A corrente de dreno ID aumentou significativamente sob iluminação na região da radiação visível e infravermelho próximo, mostrando o caráter fotocondutor da POMA dopada e, portanto, do dispositivo. Um modelo teórico baseado nos mecanismos de condução eletrônica da POMA, e de efeitos de interface metal-polímero foi elaborado, ajustando-se muito bem aos resultados experimentais.
Palavras-chave
Dispositivos eletrônicos, transistor por efeito de campo, fotocondutividade, polímeros condutores, aplicações
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